现代光刻技能听说能够追溯到近200年曾经。1822年法国人Nicephore niepce在各种资料光照实验今后，开端企图仿制一种刻蚀在油纸上的印痕

价格:30000美金

时刻:1961年

类型:榜首代971类型，1962年推出了1080型

称号: Photorepeater

精度:1微米

特色:需求人不断手动操作调理来完成精确定位

2，世界上榜首台商品化光刻机DSW4800

1978年?美国GCA公司推出了世界上榜首台商品化的分步投影光刻机DSW4800?被视为曝光技能的一大里程碑?1991年美国SVG公司又推出了步进扫描曝光机?它集分步投影曝光机的高分辨率和扫描投影曝光机的大视场、高效率于一身?更适合特征尺度小于0.25“m的大出产曝光。在1992年?量产DRA期的容量到达16M?图1.2是2003年世界半导体协会拟定的、未来几年光刻技能节点?及每个技能节点对应的DRAM容量。半导体工业和光学光刻技能的开展?出现了一代产品、一代设备、一代工艺、一代资料节奏十分清楚的开展联系。

3，日本首台半导体光刻设备PPC-1

50年前，即1970年，佳能推出了日本国内首台半导体光刻设备PPC-1，并适应半导体制作业的要求逐渐推出了其他类型的设备。特别是1978年，佳能推出了PLA500、600类型设备，这是真实意义上榜首台日本半导体制作工厂的量产设备。之后，1981年佳能又推出了MPA500、600系列设备。

首台日本产半导体光刻机「PPC-1

4，日本尼康榜首台光刻机NSR1010G型光刻机

上世纪80时代?日本尼康推出的榜首台光刻机是NSR1O10G型光刻机?如图1.1所示?曝光波长为436nm?分辨率为1刀m?曝光面积为10mmxlomm?其产率对IO0mm硅片来讲是每小时20片。

5，我国榜首台KHA75-1型半自动挨近式光刻机

1978年中科院半导体研讨所开端研发JK-1半自动挨近式光刻机。

1981年JK-1半自动挨近式光刻机完成了第二阶段工艺实验，还进行了4k和16k动态随机贮器器材的工艺查核，JK-1是我国榜首代半自动光刻机。但并不是仅有一台半自动光刻机。

1982年10月，109厂、哈尔滨量具刃具厂、阿城继电器厂，三个厂一起研发的KHA75-1型半自动挨近式光刻机成功落地，这台光刻机获得了当年榜首机械工业部的科技工作一等奖。更重要的是这台是其时国内最先进的设备，在指标上现已完全对标了近邻日本PLA500-F型，要知道，那但是八十时代，正是日本半导体工业大开展的时代，KHA75-1落地只是三年之后，1985年中科院45所就研发出了分步式光刻机样，逾越了KHA75整整一代，性能指标直逼其时在光刻机范畴如日中天的美国GCA公司出产的4800DSW光刻机。

6，飞利浦榜首台重复曝光光刻机

1966年，飞利浦开端研发光刻机。在20世纪60时代和70时代，飞利浦研发主管里奥·图莫斯、分部主任皮特·哈伊曼和总经理埃弗特·韦尔韦组成了Natlab半导体研讨团队的中心。当克洛斯特曼到来后，图莫斯小组变得越来越振奋。

一切的电子操控设备都在右边的黑色柜子里，这些电子操控设备由坐落奈梅亨的Elcoma规划和制作。

事实上，电机会使一侧的滑道变热然后导致它翘曲。因而，晶圆台在曝光阶段不会线性移动，而是沿着一条弧度较小的弧线移动。刚启用设备时，产品良率较高，但过了一段时刻，出产的掩模就不能用了。找到原因后，维伊堡经过压缩空气来冷却机器，然后安稳设备。

但克洛斯特曼和鲍尔想到达更高的精度。他们正在研发一种不只能够成像晶体管，还能成像整个微电子电路的设备它们需求的精度远远高于其时滑动体系的制作精度。体系的误差有必要小于0.1微米。假如晶圆台移动的途径翘曲，就会损坏精度，即影响单个芯片的不同掩模之间的对准程度。

事实上，滑道总会发生一些变形，但鲍尔发现体系十分灵敏，他能够经过操控确定滑道的束缚螺栓的松紧程度来到达调整滑道的意图。任何改变都会旋转滑道的底部部分，而发生的张力足以将晶圆台的旋转误差校正到十分之几微米内，而这正是他们需求的精度。

克洛斯特曼和鲍尔测定，在100毫米的长度内，晶圆台的横向误差将小于0.03微米，他们对此感到十分满足。在47毫米的途径上，旋转误差不到0.5微米，最终实践误差小于0.16微米。这是一个能够承受的数值。

图中可见3个镜头的底部，其下方是用来放晶圆的定位台。镜头的左边是反射相位光栅，用于读取x和y方向的位移。在每个反射相位光栅下方都有一个光学读取头。

2004年1月28日，ASML展现了初次使用浸没式光刻技能得到的90nm线条的光刻成果?如图所示。这表明其已正式具有了“大帝”之资！